三星电子正加速推进下一代高带宽内存布局。在HBM4今年正式进入量产的同时，三星已将目光投向更远一代产品——计划将HBM5基片工艺从4纳米提升至2纳米，并以1d DRAM作为HBM5E的核心堆叠存储。与此同时，HBM4将占据今年三星HBM总出货量的逾半数，整体HBM产能较去年增长超过三倍。
据ETNews和韩联社报道，三星电子内存开发负责人、副总裁Hwang Sang-jun在英伟达GTC大会上披露了上述规划。他表示，HBM5的基片（base die）将采用三星晶圆代工的2纳米工艺，较HBM4及HBM4E所用的4纳米工艺实现跨代升级，以满足下一代AI工作负载对内存性能的更高要求。
在产能目标方面，Hwang Sang-jun表示，三星计划今年HBM4在全部HBM出货中的占比超过50%，同时整体HBM产量较去年提升逾三倍。这一表态显示出三星在AI存储市场的扩张决心，对高端DRAM供应格局及下游AI加速器供应链具有直接影响。
除存储路线图外，Hwang Sang-jun还透露，推理芯片Groq 3正在三星平泽园区生产，量产目标定于今年第三季度末至第四季度初，订单量已超出预期。三星由此从单纯的内存供应商向AI加速器全栈合作伙伴进一步延伸。
HBM5基片工艺：从4纳米跃升至2纳米据ETNews报道，Hwang Sang-jun在英伟达GTC上明确表示，HBM5的基片将采用三星晶圆代工的2纳米工艺，较HBM4及HBM4E所使用的4纳米工艺实现重要升级。基片工艺的提升通常有助于改善内存带宽与能效表现。
Hwang Sang-jun指出，采用前沿制程虽会带来成本上升，但为达成HBM的目标性能，引入先进工艺不可避免。这一表态明确了三星在高端AI存储领域以工艺升级驱动性能跃迁的技术路径。
在HBM5E层面，据ETNews报道，Hwang Sang-jun表示该产品将以1d DRAM作为核心堆叠存储，相较于HBM4及HBM4E所采用的1c DRAM再度升级。
用于HBM5E的1d DRAM目前仍处于三星内部研发阶段，尚未商业化。不过，据ETNews援引知情人士称，三星已在该技术上取得较强的性能表现与测试良率，显示出向量产推进的积极信号。
HBM4今年主导出货，产能较去年增逾三倍据韩联社报道，Hwang Sang-jun表示，三星今年的目标是使HBM4在全部HBM出货中的占比超过50%，同时全年HBM产量较去年提升超过三倍。
HBM4今年才正式进入量产阶段。三星计划在推动规模化量产的同时，大幅扩充整体HBM产能，以匹配AI芯片市场对高带宽内存持续攀升的需求。上述产能扩张计划若得以落实，将对高端DRAM市场的供应格局产生实质影响。
Groq 3代工：三星扩大在英伟达生态系统中的角色在存储业务之外，三星正通过代工Groq 3推理芯片进一步扩展在AI加速器产业链中的定位。
据韩联社报道，Hwang Sang-jun表示，英伟达CEO Jensen Huang已公开认可三星在Groq 3上的贡献，该芯片正在三星平泽园区生产，量产目标为今年第三季度末至第四季度初，当前订单量已超出预期。
据韩联社报道，Groq 3芯片裸片面积超过700平方毫米，每片晶圆仅可切出约64颗芯片，远低于通常的400至600颗。该芯片约70%至80%的面积由SRAM构成，可在片上完成快速推理运算，无需依赖外部HBM。Hwang Sang-jun还透露，Groq早在与英伟达签署许可协议之前，便已是三星晶圆代工的客户。
据SEDaily报道，三星代工Groq 3 LPU芯片被市场广泛视为其成为下一代AI加速器全栈平台核心合作伙伴的重要标志。在三星晶圆代工部门进入英伟达供应链之后，三星的角色已从此前单纯供应内存，延伸至LPU制造领域，与英伟达生态系统的合作深度进一步扩展。
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